产品技术参数：
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产品名称 |
型号 |
纯度（%） |
形状 |
颜色 |
| 氮化硅 SiN靶材 |
RDB-BC-SiN |
3N,4N | 平面靶，颗粒 | 金属色 |
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备注：根据用户需求可提供不同粒度的产品。 |
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产品性能：
氮化硅（SiN）靶材是一种重要的高科技材料，主要由硅和氮元素组成，具有优异的物理和化学性能。在
半导体行业中，氮化硅靶材因其高硬度、耐磨性以及优异的绝缘性能，被广泛用作制造高性能集成电路
功率器件和光电子器件的衬底或薄膜材料。氮化硅靶材不仅在半导体领域有着广泛的应用，还因其优异的
耐高温和耐腐蚀性能，在航空航天领域成为关键部件的理想选择。
应用方向：
绝缘层和保护层：氮化硅薄膜因其优异的绝缘特性、化学稳定性和低缺陷密度，被广泛用作集成电路中
的表面钝化保护膜、绝缘层、杂质扩散掩膜和刻蚀掩膜。这些应用有助于提高器件的电气性能和可靠性。
刻蚀过程中的应用：在集成电路的刻蚀步骤中，氮化硅的高硬度和化学稳定性使其能够保持较好的形状
精度和表面粗糙度。反应离子刻蚀（RIE）和深反应离子刻蚀（DRIE）等技术常被用于精确刻蚀氮化硅
层，以形成所需的微观结构。
半导体元件的表面封装：氮化硅薄膜还用于半导体元件的表面封装，提供保护并改善器件的整体性能。
光电子器件：在光电子领域，氮化硅作为波导层、反射镜等关键部件，其刻蚀技术对于提高器件性能和
稳定性具有重要作用。
微纳加工：随着微纳加工技术的发展，氮化硅作为一种重要的结构材料，其刻蚀技术在微纳传感器、微
纳执行器等器件的制造中具有广泛应用前景。
技术支持：
公司可提供金属材料，二维纳米材料，石墨烯材料，稀土材料，高熵合金材料等方面的应用技术支持；
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注意事项：
本品应储藏于阴凉、干燥室内、避免重压。未经表面处理的靶材，使用过程中不宜暴露空气中，以免
吸湿，影响性能和使用效果。
工艺流程：
