碳化硅 SiC靶材

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       产品技术参数:            

          

 

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碳化硅 SiC靶材

RDB-BC-SiC

2N5,3N 平面靶,旋转靶 金属色

备注:根据用户需求可提供不同粒度的产品。

  

 

产品性能:     

 

        碳化硅(SiC)靶材是一种先进的非氧化陶瓷材料,具有优异的化学和物理特性,使其在多个高科技领域

        中发挥着重要作用。碳化硅靶材的结构特性包括多种晶型,其中最常见的为β-SiC(立方体结构)和

        α-SiC(六方晶系),这些不同的晶型影响了材料的电子性质和热稳定性。碳化硅的物理性质包括高热导

        率、高硬度和良好的抗腐蚀性,这些特性使得碳化硅成为处理高热负载应用的理想材料,如电力电子组件

        的散热层,以及在磨损环境中表现优异的磨料和切割工具。 
   

应用方向:                                                 

        在电力电子领域,碳化硅靶材制造的器件能够在高温、高频、高压等恶劣环境下提供高效率和稳定性,这

        对于新能源汽车、智能电网、光伏发电等现代工业领域尤为重要。此外,碳化硅靶材还被应用于航空航天

        领域,如燃气轮机叶片、燃烧室、涡轮叶片等,因其高温稳定性和高强度特点。 
        在光伏产业中,碳化硅靶材用于制造高效率太阳能电池,提高电池的转换效率和耐用性。碳化硅的应用

        不仅限于半导体和光伏领域,还包括LED照明、激光器等领域,其高热导率和电性能使其成为这些领域理

        想的材料。

 

技术支持:

公司可提供金属材料,二维纳米材料,石墨烯材料,稀土材料,高熵合金材料等方面的应用技术支持;

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注意事项:

本品应储藏于阴凉、干燥室内、避免重压。未经表面处理的靶材,使用过程中不宜暴露空气中,以免

吸湿,影响性能和使用效果。

 

工艺流程:

 

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